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HBM是一種基于3D堆疊工藝的dram內(nèi)存芯片，由多層dram堆疊

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2024-12-23 10:47 來自 Wccftech

【美光：下一代HBM4內(nèi)存計(jì)劃2026年大規(guī)模生產(chǎn) 后續(xù)推出HBM4E】《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》23日訊，美光發(fā)布了其HBM4和HBM4E項(xiàng)目的最新進(jìn)展。具體來看，下一代HBM4內(nèi)存采用2048位接口，計(jì)劃在2026年開始大規(guī)模生產(chǎn)，而HBM4E將會(huì)在后續(xù)幾年推出。 (Wccftech)

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2024-12-20 14:59 來自 TheElec

《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》20日訊，SK海力士已贏得向博通供應(yīng)高帶寬內(nèi)存(HBM)的大訂單，預(yù)計(jì)明年下半年開始供應(yīng)。 (TheElec)

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2024-12-11 16:21

【美國芯片公司Marvell推出定制HBM計(jì)算架構(gòu)】《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》11日訊，美國芯片公司Marvell宣布推出一種新的定制HBM計(jì)算架構(gòu)，使XPU能夠?qū)崿F(xiàn)更高的計(jì)算和內(nèi)存密度，提高其定制XPU的性能、效率和TCO。Marvell正與云客戶和領(lǐng)先的HBM制造商美光、三星電子和SK海力士合作，為下一代XPU定義和開發(fā)定制HBM解決方案。

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2024-12-06 12:38 來自 Wccftech

【傳英偉達(dá)Rubin架構(gòu)將提前六個(gè)月發(fā)布】《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》6日訊，據(jù)傳，英偉達(dá)下一代Rubin架構(gòu)將提前六個(gè)月上市，Rubin產(chǎn)品線最初計(jì)劃于2026年推出，現(xiàn)已提前至2025年中期。Rubin預(yù)計(jì)將采用臺(tái)積電的3nm工藝，以及HBM4內(nèi)存芯片。 (Wccftech)

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2024-12-06 11:17

【博通推出首個(gè)3.5D F2F封裝技術(shù) 預(yù)計(jì)2026年生產(chǎn)】《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》6日訊，博通宣布推出行業(yè)首個(gè)3.5D F2F封裝技術(shù)，技術(shù)名為3.5D XDSiP，可在單一封裝中集成超過6000平方毫米的硅芯片和多達(dá)12個(gè)HBM內(nèi)存堆棧，可滿足大型AI芯片對(duì)高性能低功耗的需求。博通目前正在采用該技術(shù)開發(fā)五款產(chǎn)品，預(yù)計(jì)將于2026年2月開始生產(chǎn)。

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2024-11-29 07:30 來自環(huán)球網(wǎng)

【拜登政府考慮進(jìn)一步管制對(duì)華芯片措施預(yù)計(jì)最早下周公布】財(cái)聯(lián)社11月29日電，美國彭博社28日引述知情人士消息稱，拜登政府正考慮進(jìn)一步限制向中國出售半導(dǎo)體設(shè)備和人工智能內(nèi)存芯片，但不會(huì)采取此前提出的一些更嚴(yán)厲措施。這些限制措施最早可能會(huì)在下周公布。美國《連線》雜志27日稱，拜登政府預(yù)計(jì)在下周一宣布最新措施。據(jù)彭博社報(bào)道，知情人士表示，新規(guī)的具體內(nèi)容和發(fā)布時(shí)間已經(jīng)過多次調(diào)整，在發(fā)布之前可能都會(huì)發(fā)生變化。最新提案與早期有幾個(gè)關(guān)鍵不同點(diǎn)，首先就是美國將會(huì)把哪些中國公司拉入貿(mào)易限制清單。美國此前曾考慮制裁中國科技巨頭華為至少6家供應(yīng)商，但目前計(jì)劃僅將部分供應(yīng)商列入清單。報(bào)道特別提到，嘗試開發(fā)AI內(nèi)存芯片技術(shù)的長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)并不在清單之內(nèi)。最新版本的管制措施可能還將包括對(duì)高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片的控制等內(nèi)容。 (環(huán)球網(wǎng))

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2024-11-26 13:50

【TrendForce：服務(wù)器DRAM及HBM推升3Q24 DRAM產(chǎn)業(yè)營收季增13.6%】《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》26日訊，根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，2024年第三季DRAM（內(nèi)存）產(chǎn)業(yè)營收為260.2億美元，季增13.6%。受到大陸手機(jī)制造商去化庫存及部分DRAM供應(yīng)商擴(kuò)產(chǎn)影響，盡管前三大DRAM原廠LPDDR4及DDR4出貨量下降，但供應(yīng)數(shù)據(jù)中心的DDR5及HBM（高帶寬內(nèi)存）需求上升。平均銷售單價(jià)部分，三大原廠延續(xù)前一季的上漲趨勢(shì)，加上HBM持續(xù)擠壓整體DRAM產(chǎn)能，合約價(jià)于第三季達(dá)成8%至13%的漲幅。

展望2024年第四季，TrendForce集邦咨詢預(yù)估整體原廠位元出貨量將較前一季增加，價(jià)格則因HBM擠壓產(chǎn)能效應(yīng)可能較預(yù)期弱，加上部分供應(yīng)商擴(kuò)產(chǎn)將驅(qū)動(dòng)PC OEM和手機(jī)業(yè)者積極去化庫存，以取得較低價(jià)DRAM產(chǎn)品，預(yù)期一般型DRAM (Conventional DRAM)合約價(jià)、一般型DRAM與HBM合并合約價(jià)都將下跌。

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2024-11-24 08:33

財(cái)聯(lián)社11月24日電，英偉達(dá)CEO稱，英偉達(dá)正在盡快認(rèn)證三星的AI內(nèi)存芯片，評(píng)估三星的8層堆疊和12層堆疊HBM3E內(nèi)存。

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2024-11-21 09:28 來自 BusinessKorea

【三星擴(kuò)產(chǎn)先進(jìn)封裝包括中國蘇州廠與韓國天安基地等】《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》21日訊，由于HBM產(chǎn)品中封裝重要性不斷加強(qiáng)，三星電子正在擴(kuò)大對(duì)國內(nèi)和海外生產(chǎn)基地的投資，以加強(qiáng)其半導(dǎo)體先進(jìn)封裝業(yè)務(wù)。據(jù)悉，日前三星簽署了第三季度銷售和采購半導(dǎo)體設(shè)備的合同，以擴(kuò)大其中國蘇州工廠的生產(chǎn)設(shè)施，該合同價(jià)值約200億韓元。蘇州工廠是目前三星電子唯一的海外測(cè)試和封裝生產(chǎn)基地。另外，三星近期也與韓國忠清南道和天安市簽署了投資協(xié)議，以擴(kuò)大半導(dǎo)體封裝工藝設(shè)施。 (BusinessKorea)

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2024-11-20 14:00 來自韓國經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)

【報(bào)道稱特斯拉已向SK海力士和三星表達(dá)采購HBM4意向】《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》20日訊，據(jù)報(bào)道，SK海力士和三星近期接獲特斯拉的HBM4供應(yīng)要求，正在研發(fā)樣品，不過相較微軟、Meta、谷歌等主要采購定制化芯片，特斯拉將采購?fù)ㄓ肏BM4，用于強(qiáng)化超級(jí)電腦Dojo性能，預(yù)期將比較樣品性能后決定主要供應(yīng)商。 (韓國經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào))

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2024-11-14 19:06

【TrendForce：SK海力士HBM3e 16hi有望在HBM4推出前突破內(nèi)存容量限制】《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》14日訊，SK海力士近日在SK AI峰會(huì)2024上公布了其正在開發(fā)的HBM3e 16hi內(nèi)存，每個(gè)立方體的容量為48 GB，樣品定于2025年上半年推出。TrendForce最新發(fā)現(xiàn)顯示，該產(chǎn)品內(nèi)存面向包括CSP定制ASIC和通用GPU在內(nèi)的應(yīng)用，其有望在HBM4代推出之前突破內(nèi)存容量限制。

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2024-11-13 09:08 來自韓聯(lián)社

【三星電子計(jì)劃于韓國天安市新建封裝工廠擴(kuò)容HBM內(nèi)存等后端產(chǎn)能】《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》13日訊，三星電子計(jì)劃在現(xiàn)有韓國忠清南道天安市封裝設(shè)施的基礎(chǔ)上在該市境內(nèi)興建服務(wù)于HBM內(nèi)存等生產(chǎn)的半導(dǎo)體封裝工廠。三星電子將以租賃的形式獲得三星顯示一幢大樓的使用權(quán)，并在三年內(nèi)為該建筑導(dǎo)入生產(chǎn)HBM等所需的半導(dǎo)體后端加工設(shè)備。 (韓聯(lián)社)

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2024-11-12 11:08 來自臺(tái)灣電子時(shí)報(bào)

【消息稱三星計(jì)劃為微軟、Meta供應(yīng)定制化HBM4】《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》12日訊，消息稱三星電子正為微軟和Meta量身打造第六代定制化高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）HBM4。業(yè)界預(yù)期從HBM4開始，除了存儲(chǔ)器功能外，HBM還需具備能夠執(zhí)行客戶需求的各種運(yùn)算。 (臺(tái)灣電子時(shí)報(bào))

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2024-11-05 10:01 來自 TheElec

《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》5日訊，SK海力士將于2025年初提供其第5代高帶寬內(nèi)存(HBM)或HBM3E 16H的樣品。 (TheElec)

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2024-11-04 16:00 來自財(cái)聯(lián)社黃君芝

英偉達(dá)需求太火爆？SK海力士：黃仁勛要求HBM4芯片提前6個(gè)月交貨！

①SK海力士董事長(zhǎng)崔泰源表示，英偉達(dá)CEO黃仁勛要求將下一代高帶寬內(nèi)存芯片HBM4供貨時(shí)間提前六個(gè)月，以解決供應(yīng)瓶頸問題；
②SK海力士計(jì)劃2025年初推出16層HBM3E芯片；
③HBM產(chǎn)能已成為人工智能芯片供應(yīng)瓶頸，SK海力士產(chǎn)能到20z25年已基本“售罄”。

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2024-11-04 11:16

財(cái)聯(lián)社11月4日電，SK海力士首席執(zhí)行官表示，將于2025年初推出16層HBM3E芯片，并計(jì)劃在2028年至2030年期間推出HBM5芯片。

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2024-11-04 09:46

財(cái)聯(lián)社11月4日電，英偉達(dá)據(jù)悉要求SK海力士將HBM4芯片的供應(yīng)提前6個(gè)月。

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2024-10-30 14:03

【TrendForce：HBM5 20hi后產(chǎn)品或采用混合鍵合技術(shù)】《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》30日訊，HBM產(chǎn)品已成為DRAM產(chǎn)業(yè)關(guān)注焦點(diǎn)，這使得Hybrid Bonding (混合鍵合)等先進(jìn)封裝技術(shù)發(fā)展備受矚目。根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究，三大HBM原廠正在考慮是否于HBM4 16hi采用Hybrid Bonding，并已確定將在HBM5 20hi世代中使用這項(xiàng)技術(shù)。

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2024-10-29 14:18 來自臺(tái)灣工商時(shí)報(bào)

【需求轉(zhuǎn)弱 DRAM及NAND報(bào)價(jià)或下跌】《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》29日訊，模組廠預(yù)期，第四季度僅eSSD與HBM產(chǎn)品出貨量和價(jià)格增加，其他存儲(chǔ)產(chǎn)品如DRAM及NAND將停滯不前。這是由于消費(fèi)性產(chǎn)品如手機(jī)及PC將與需求持平，僅服務(wù)器相關(guān)需求持續(xù)走強(qiáng)。 (臺(tái)灣工商時(shí)報(bào))

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2024-10-29 10:44 來自閃存市場(chǎng)

【DDR4、DDR5巨大價(jià)差影響部分服務(wù)器客戶切換至DDR5動(dòng)力】《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》29日訊，隨著支持DDR5的Intel EMR和AMD Bergamo處理器平臺(tái)滲透率的增加，DDR5在服務(wù)器上的應(yīng)用需求在今年迎來快速的增長(zhǎng)。但因原廠DRAM產(chǎn)出受到HBM大規(guī)模量產(chǎn)的擠出效應(yīng)，此前服務(wù)器DDR5產(chǎn)品供應(yīng)相對(duì)緊張，導(dǎo)致服務(wù)器DDR5產(chǎn)品價(jià)格在今年以來大幅上漲。而通用型服務(wù)器需求的降溫，以及產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)較高的庫存，盡管原廠已經(jīng)在削減服務(wù)器DDR4產(chǎn)出，服務(wù)器DDR4在短期來看依然供過于求。根據(jù)CFM閃存市場(chǎng)數(shù)據(jù)顯示，截至9月底，DDR5 64GB與DDR4 64GB價(jià)差近70%。DDR5與DDR4巨大價(jià)差以及高資本投入下對(duì)投入產(chǎn)出比的權(quán)衡已經(jīng)影響部分客戶推動(dòng)DDR5滲透的動(dòng)力。 (閃存市場(chǎng))

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