①SK海力士董事長崔泰源表示,英偉達CEO黃仁勛要求將下一代高帶寬內(nèi)存芯片HBM4供貨時間提前六個月,以解決供應瓶頸問題; ②SK海力士計劃2025年初推出16層HBM3E芯片; ③HBM產(chǎn)能已成為人工智能芯片供應瓶頸,SK海力士產(chǎn)能到20z25年已基本“售罄”。
財聯(lián)社11月4日訊(編輯 黃君芝)SK海力士董事長崔泰源(Chey Tae-won)周一表示,英偉達CEO黃仁勛已要求他將該公司下一代高帶寬內(nèi)存芯片HBM4的供貨時間提前六個月。
他在首爾舉行的集團AI峰會上表示,SK海力士正在與英偉達合作解決供應瓶頸問題。SK海力士去年10月曾表示,計劃在2025年下半年向客戶供應這種芯片。
崔泰源表示,這一時間表比最初的目標要快,但沒有進一步說明。
有分析指出,黃仁勛要求加快交付速度,凸顯了市場對英偉達用于開發(fā)人工智能技術(shù)的更高容量、更節(jié)能GPU的強勁需求,而這些GPU將包含新的HBM芯片。
目前,英偉達占據(jù)了全球人工智能芯片市場80%以上的份額。
此外,SK海力士在周一還透露下代產(chǎn)品的最新進展,該公司將于2025年初推出16層HBM3E芯片,12層HBM3E芯片已于9月開始量產(chǎn)。同時它計劃在2028年至2030年間推出HBM5芯片。
到目前為止,SK海力士一直是高帶寬內(nèi)存(HBM)領域的“領頭羊”。HBM芯片有助于處理大量數(shù)據(jù),以訓練人工智能技術(shù),對英偉達的芯片組至關(guān)重要。市場需求十分火爆。不過與此同時,來自三星電子和美光科技等對手的競爭越來越激烈。
HBM是一款新型的CPU/GPU 內(nèi)存芯片,簡而言之就是將很多個DDR芯片堆疊在一起后和GPU封裝在一起,實現(xiàn)大容量、高位寬的DDR組合陣列。HBM能夠?qū)崿F(xiàn)大模型時代的高算力、大存儲的現(xiàn)實需求。因此,HBM正逐漸成為存儲行業(yè)巨頭實現(xiàn)業(yè)績反轉(zhuǎn)的關(guān)鍵力量。
而且,值得注意的是,HBM產(chǎn)能已成為人工智能芯片供應的一個瓶頸,例如SK海力士的產(chǎn)能到2025年已基本“售罄”,而三星HBM產(chǎn)品仍在尋求獲得英偉達測試通過。
不過,在前些天的財報電話會議上,三星內(nèi)存業(yè)務執(zhí)行副總裁Jaejune Kim表示,在與一家主要客戶——英偉達資格認證過程的關(guān)鍵階段,三星取得了“重要”進展。
Kim提到,三星現(xiàn)在預計公司將在第四季度出售其最先進的HBM3E內(nèi)存芯片。他說,“英偉達作為HBM廠商的最大客戶,三大存儲芯片廠商都在盡全力爭取其訂單,而現(xiàn)在最先進的HBM產(chǎn)品就是HBM3E。”
三星電子還計劃在明年下半年生產(chǎn)下一代HBM4產(chǎn)品。