《科創(chuàng)板日報》5月6日訊 TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷今日表示，今年第二季已開始針對2025年HBM進行議價，不過受限于DRAM總產(chǎn)能有限，為避免產(chǎn)能排擠效應(yīng)，供應(yīng)商已經(jīng)初步調(diào)漲5%-10%，包含HBM2e，HBM3與HBM3e。

對于議價時間提前到今年二季度，集邦咨詢表示其原因包括：一是因為HBM買方對AI需求展望仍具高度信心，愿意接受價格續(xù)漲；二是因為HBM3e的TSV良率目前僅約40%-60%，因此買方愿意接受漲價以鎖定質(zhì)量穩(wěn)定的貨源；三是因為未來HBM每Gb單價可能因DRAM供應(yīng)商的可靠度，以及供應(yīng)能力產(chǎn)生價差，對于供應(yīng)商而言，未來平均銷售單價將會因此出現(xiàn)差異，并進一步影響獲利。

毫無疑問，AI熱度的攀升導(dǎo)致HBM產(chǎn)銷走俏。在近日的媒體招待會上，HBM龍頭企業(yè)SK海力士CEO表示，公司按量產(chǎn)計劃2025年生產(chǎn)的HBM產(chǎn)品基本售罄，主要由于AI爆發(fā)對先進存儲產(chǎn)品HBM的需求。此前，公司宣布其2024年HBM的產(chǎn)能已被客戶搶購一空。

另一存儲巨頭三星電子也在緊鑼密鼓的推進HBM3e的量產(chǎn)。公司4月30日表示，目前正供應(yīng)12層堆疊HBM3E內(nèi)存——36GB HBM3E 12H DRAM樣品，計劃今年二季度量產(chǎn)，其8層堆疊的HBM3 8H已開始初步量產(chǎn)。SK海力士的12層堆疊HBM3e內(nèi)存也有望于三季度完成。

整體行業(yè)規(guī)模方面，SK海力士認(rèn)為，目前像HBM和高容量DRAM模塊等面向AI的存儲器在2023年整個存儲市場的占比約為5%，預(yù)計到2028年可以達到61%。

集邦咨詢也預(yù)計2023年-2025年間HBM之于DRAM產(chǎn)能及產(chǎn)值占比均將大幅向上。產(chǎn)能方面，2023年至2024年HBM占DRAM總產(chǎn)能分別是2%及5%，至2025年占比預(yù)估將超過10%。產(chǎn)值方面，2024年起HBM之于DRAM總產(chǎn)值預(yù)估可逾20%，至2025年占比有機會逾三成。

中信證券在近期研報中指出，預(yù)計2024年、2025年全球HBM容量需求年化增長超100%，占DRAM總?cè)萘啃枨髮?023年的不足1%增長至超5%。國內(nèi)方面，機構(gòu)認(rèn)為后續(xù)在本土高端封測廠商和設(shè)備廠商的配合下，國內(nèi)DRAM存儲原廠有望跟進HBM產(chǎn)品，對半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)生增量需求。綜合來看，在需求與疊加技術(shù)創(chuàng)新周期的雙重疊加下，HBM原廠、先進封裝、半導(dǎo)體設(shè)備、半導(dǎo)體材料等環(huán)節(jié)公司均有望持續(xù)受益。