①韓國(guó)存儲(chǔ)芯片制造商SK海力士周四（8月29日）稱，已開(kāi)發(fā)出第六代10納米級(jí)DRAM芯片； ②該芯片采用了1c工藝，是以1β工藝（第五代10納米技術(shù)）為基礎(chǔ)而開(kāi)發(fā)的； ③新研發(fā)的DRAM將主要用于高性能數(shù)據(jù)中心，運(yùn)行速度提高了11%，且功耗更低。
財(cái)聯(lián)社8月29日訊（編輯 周子意）全球第二大存儲(chǔ)芯片制造商SK海力士周四（8月29日）表示，已開(kāi)發(fā)出業(yè)界首款第六代10納米級(jí)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）芯片，該芯片的功耗比舊型號(hào)更低、能效則更高。
SK海力士在一份聲明中表示，這款DRAM芯片名為1c 16Gb DDR5，其中的1c代表了SK海力士的第六代10納米工藝。
據(jù)介紹，此次1c 16Gb DDR5芯片將主要用于高性能數(shù)據(jù)中心，其運(yùn)行速度為8Gbps（每秒8千兆比特），與前一代相比速度提高了11%；此外該芯片還比前一代的能效提高了9%以上。
該公司還表示，在當(dāng)前人工智能蓬勃發(fā)展的時(shí)期，這可以幫助數(shù)據(jù)中心減少多達(dá)30%的電力成本。
此次的1c工藝是以1β工藝為基礎(chǔ)，1β工藝就是上一代DRAM芯片采用的第五代10納米技術(shù)，其以最佳性能的DRAM而廣受贊譽(yù)的。為了減少在推進(jìn)過(guò)程中產(chǎn)生的潛在錯(cuò)誤，并以最有效的方式轉(zhuǎn)移1β的優(yōu)勢(shì)，該公司擴(kuò)展了1β的DRAM平臺(tái)以開(kāi)發(fā)1c。
公司聲明中寫(xiě)道，“公司以第五代（1β）技術(shù)力為基礎(chǔ)，提高了設(shè)計(jì)完成度，率先突破了技術(shù)極限。公司將在年內(nèi)完成1c DDR5 DRAM的量產(chǎn)準(zhǔn)備，從明年開(kāi)始供應(yīng)產(chǎn)品，引領(lǐng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)發(fā)展?！?/p>
DRAM開(kāi)發(fā)部門(mén)負(fù)責(zé)人Kim Jonghwan表示，“1c工藝技術(shù)兼?zhèn)渲罡咝阅芎统杀靖?jìng)爭(zhēng)力，公司將其應(yīng)用于新一代HBM1、LPDDR62、GDDR73等最先進(jìn)DRAM主力產(chǎn)品群，由此為客戶提供差別化的價(jià)值?！?/p>
