《科創(chuàng)板日報》5日訊，安世半導體今日宣布，推出新款600 V單管IGBT。據(jù)介紹，新款600 V單管IGBT采用載流子儲存溝槽柵場截止（FS）結(jié)構(gòu)，在最高175℃的工作溫度下可提供超低導通和開關(guān)損耗性能與高耐用性。